STMicroelectronics STGW100H65FB2-4 IGBT, 145 A 650 V, 4-Pin TO247-4
- RS Stock No.:
- 212-2106
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STGW100H65FB2-4
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*
THB7,007.49
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB7,498.02
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 540 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | THB233.583 | THB7,007.49 |
| 60 - 90 | THB228.505 | THB6,855.15 |
| 120 + | THB223.427 | THB6,702.81 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 212-2106
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STGW100H65FB2-4
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Maximum Continuous Collector Current | 145 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V | |
| Maximum Power Dissipation | 441 W | |
| Number of Transistors | 1 | |
| Package Type | TO247-4 | |
| Channel Type | N | |
| Pin Count | 4 | |
| Transistor Configuration | Single | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Maximum Continuous Collector Current 145 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 650 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V | ||
Maximum Power Dissipation 441 W | ||
Number of Transistors 1 | ||
Package Type TO247-4 | ||
Channel Type N | ||
Pin Count 4 | ||
Transistor Configuration Single | ||
IGBT
The STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 series represent an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy. The result is a product specifically designed to maximize efficiency for a wide range of fast application.
Minimized tail current
Tight parameter distribution
Low thermal resistance
Positive VCE(sat) temperature coefficient
Tight parameter distribution
Low thermal resistance
Positive VCE(sat) temperature coefficient
For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics STGW100H65FB2-4 IGBT 4-Pin TO247-4
- Infineon IKZ50N65EH5XKSA1 IGBT 4-Pin PG-TO247-4
- Infineon IKZA50N65EH7XKSA1 Single Collector Single Gate IGBT 4-Pin PG-TO247-4-STD-NT3.7,
- Infineon IKZA40N65EH7XKSA1 Single Collector Single Gate IGBT 4-Pin PG-TO247-4-STD-NT3.7,
- Infineon IKZA75N65EH7XKSA1 Single Collector Single Gate IGBT 4-Pin PG-TO247-4-STD-NT3.7,
- STMicroelectronics STGW75H65DFB2-4 IGBT 4-Pin TO-247
- STMicroelectronics STGWA100H65DFB2 IGBT 3-Pin TO-247
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PG-TO247-4 IMZA65R015M2HXKSA1
