Infineon 1.8 V 10 A SiC Schottky Diode Schottky 3-Pin DPAK
- RS Stock No.:
- 249-6926
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IDD10SG60CXTMA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB376,800.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB403,175.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | THB150.72 | THB376,800.00 |
| 5000 - 5000 | THB146.198 | THB365,495.00 |
| 7500 + | THB140.35 | THB350,875.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 249-6926
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IDD10SG60CXTMA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | SiC Schottky Diode | |
| Mount Type | Surface | |
| Package Type | TO-252 | |
| Maximum Continuous Forward Current If | 10A | |
| Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm | 1.8V | |
| Diode Configuration | Single | |
| Series | XDD10SG60 | |
| Rectifier Type | Schottky | |
| Pin Count | 3 | |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm | 410A | |
| Maximum Forward Voltage Vf | 2.1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Peak Reverse Current Ir | 860μA | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Peak Reverse Recovery Time trr | 10ns | |
| Standards/Approvals | RoHS, JEDEC1 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type SiC Schottky Diode | ||
Mount Type Surface | ||
Package Type TO-252 | ||
Maximum Continuous Forward Current If 10A | ||
Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm 1.8V | ||
Diode Configuration Single | ||
Series XDD10SG60 | ||
Rectifier Type Schottky | ||
Pin Count 3 | ||
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm 410A | ||
Maximum Forward Voltage Vf 2.1V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Peak Reverse Current Ir 860μA | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Peak Reverse Recovery Time trr 10ns | ||
Standards/Approvals RoHS, JEDEC1 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon schottky diode has silicon carbide as revolutionary semiconductor material. It does not have forward and reverse recovery. It has temperature independent switching behaviour. It has high surge current capability.
Pb-free lead plating
RoHS compliant
Qualified according to JEDEC for target applications
Breakdown voltage tested at 20mA
Optimized for high temperature operation
Lowest Figure of Merit QC/IF
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon 1.8 V 10 A SiC Schottky Diode Schottky 3-Pin DPAK IDD10SG60CXTMA2
- Infineon 600 V 6 A SiC Schottky Diode Schottky 3-Pin DPAK
- Infineon 600 V 6 A SiC Schottky Diode Schottky 3-Pin DPAK IDD06SG60CXTMA2
- Infineon 650 V 10 A SiC Schottky Diode Schottky 10-Pin HDSOP
- Infineon 650 V 10 A SiC Schottky Diode Schottky 10-Pin HDSOP IDDD06G65C6XTMA1
- Infineon 650 V 10 A SiC Schottky Diode Schottky 5-Pin ThinPAK 8x8 IDL10G65C5XUMA2
- Infineon 650 V 10 A SiC Schottky Diode Schottky 5-Pin ThinPAK 8x8
- Infineon 600 V 4 A Schottky Diode Schottky 3-Pin DPAK