Infineon 1.8 V 10 A SiC Schottky Diode Schottky 3-Pin DPAK IDD10SG60CXTMA2
- RS Stock No.:
- 249-6927
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IDD10SG60CXTMA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB154.07
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB164.85
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2,405 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB154.07 |
| 10 - 99 | THB138.65 |
| 100 - 249 | THB124.87 |
| 250 - 499 | THB112.44 |
| 500 + | THB101.10 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 249-6927
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IDD10SG60CXTMA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Mount Type | Surface | |
| Product Type | SiC Schottky Diode | |
| Package Type | TO-252 | |
| Maximum Continuous Forward Current If | 10A | |
| Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm | 1.8V | |
| Series | XDD10SG60 | |
| Diode Configuration | Single | |
| Rectifier Type | Schottky | |
| Pin Count | 3 | |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm | 410A | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Forward Voltage Vf | 2.1V | |
| Peak Reverse Current Ir | 860μA | |
| Peak Reverse Recovery Time trr | 10ns | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS, JEDEC1 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Mount Type Surface | ||
Product Type SiC Schottky Diode | ||
Package Type TO-252 | ||
Maximum Continuous Forward Current If 10A | ||
Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm 1.8V | ||
Series XDD10SG60 | ||
Diode Configuration Single | ||
Rectifier Type Schottky | ||
Pin Count 3 | ||
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm 410A | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Forward Voltage Vf 2.1V | ||
Peak Reverse Current Ir 860μA | ||
Peak Reverse Recovery Time trr 10ns | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS, JEDEC1 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon schottky diode has silicon carbide as revolutionary semiconductor material. It does not have forward and reverse recovery. It has temperature independent switching behaviour. It has high surge current capability.
Pb-free lead plating
RoHS compliant
Qualified according to JEDEC for target applications
Breakdown voltage tested at 20mA
Optimized for high temperature operation
Lowest Figure of Merit QC/IF
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon 1.8 V 10 A SiC Schottky Diode Schottky 3-Pin DPAK
- Infineon 600 V 6 A SiC Schottky Diode Schottky 3-Pin DPAK
- Infineon 600 V 6 A SiC Schottky Diode Schottky 3-Pin DPAK IDD06SG60CXTMA2
- Infineon 650 V 10 A SiC Schottky Diode Schottky 10-Pin HDSOP
- Infineon 650 V 10 A SiC Schottky Diode Schottky 10-Pin HDSOP IDDD06G65C6XTMA1
- Infineon 650 V 10 A SiC Schottky Diode Schottky 5-Pin ThinPAK 8x8 IDL10G65C5XUMA2
- Infineon 650 V 10 A SiC Schottky Diode Schottky 5-Pin ThinPAK 8x8
- Infineon 600 V 4 A Schottky Diode Schottky 3-Pin DPAK