Infineon 1200 V 5 A Diode Schottky 2-Pin DPAK IDM05G120C5XTMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดูหมวดหมู่นี้
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB469.25

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB502.10

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
5 - 5THB93.85THB469.25
10 - 95THB91.504THB457.52
100 - 245THB89.216THB446.08
250 - 495THB86.986THB434.93
500 +THB84.812THB424.06

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
222-4829
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IDM05G120C5XTMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Mount Type

Surface

Product Type

Diode

Package Type

TO-252

Maximum Continuous Forward Current If

5A

Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm

1200V

Series

5th Generation thinQ!TM 1200 V SiC Schottky Diode IDM05G120C5

Diode Configuration

Silicon Carbide Schottky Diode

Rectifier Type

Schottky

Pin Count

2

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Forward Voltage Vf

1.95V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

6.65mm

Height

10.4mm

Standards/Approvals

J-STD20 and JESD22

Automotive Standard

No

The Infineon CoolSiC™ Schottky diode generation 5 1200 V, 5 A in a DPAK real2pin package, presents a leading edge technology for SiC Schottky Barrier diodes. The thin wafer technology, already introduced with G2, is now combined with a new merged pn junction improving diode surge current capabilities. The result is a series of products delivering market leading efficiency and more system reliability at an attractive cost point.

Best-in-class forward voltage (VF)

No reverse recovery charge

Mild positive temperature dependency of VF

Best-in-class surge current capability

Excellent thermal performance

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง