Infineon 1.2 kV 30 A SiC Diode Schottky 2-Pin TO-247 IDWD30G120C5XKSA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB468.35

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB501.13

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 26 เมษายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB468.35
10 - 99THB456.64
100 - 249THB445.25
250 - 499THB434.14
500 +THB423.28

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
222-4844
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IDWD30G120C5XKSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

SiC Diode

Mount Type

SMD

Package Type

TO-247

Maximum Continuous Forward Current If

30A

Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm

1.2kV

Diode Configuration

Single

Series

5th Generation CoolSiC 1200V Schottky Diode

Rectifier Type

Schottky

Pin Count

2

Minimum Operating Temperature

-55°C

Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm

240A

Peak Reverse Current Ir

248μA

Maximum Forward Voltage Vf

1.65V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

40.21mm

Standards/Approvals

JEDEC47/20/22

Width

15.8mm

Automotive Standard

No

Infineon 5th Generation CoolSiC 1200V Schottky Diode Series SiC Diode, 30A Continuous Forward Current, 1200V Peak Reverse Repetitive Voltage - IDWD30G120C5XKSA1


This SiC Schottky diode is a high-voltage rectifier designed for power-conversion environments requiring fast switching and elevated temperature endurance. It operates across a wide ambient range and is supplied in a TO-247 surface-mount package suited to heat-sinking and power-system assembly. The component is intended for use where low forward drop, Rapid recovery and robust surge capability are required.

Features and Benefits:


• 30A continuous forward current reduces heat-related conduction losses
• 1.65V maximum forward voltage lowers conduction power dissipation
• 240A Peak surge capability protects against transient overloads
• 1200V Peak reverse rating enables high-voltage rectification
• 248μA Peak reverse leakage minimises standby reverse losses

Applications


• Suitable for 1200V SiC rectifier for power electronics
• Ideal for high-temperature switching up to 175°C
• Used with power modules requiring TO-247 SiC diode high temperature 175°C
• Can be used for designs needing 1200V SiC rectifier diode Ifsm 240A
• Suitable for circuits demanding SiC Schottky 30A 1.65V forward

What temperature range can it operate within?


It is rated to function from -55°C up to 175°C.

How many electrical connections does the device provide?


It features a two-pin configuration for single-diode use.

What package and mounting method does it use?


The device is supplied in a TO-247 package intended for surface mounting.

What standard approvals does the component meet?


It conforms to JEDEC47/20/22 standards.

What is the Peak non-repetitive forward surge capability?


It supports a 240A Peak non-repetitive forward surge current.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง