Vishay VEMD5110X01 Near Infrared Radiation Silicon PIN Photodiode, ±65 °, Surface 5 x 4 x 0.9 mm
- RS Stock No.:
- 279-9636
- Distrelec หมายเลขบทความ:
- 304-42-138
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- VEMD5110X01
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (5 ชิ้น, ในแพ็คขนาด 5)*
THB268.10
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB286.85
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 1,920 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | THB53.62 | THB268.10 |
| 50 - 245 | THB50.938 | THB254.69 |
| 250 - 495 | THB45.846 | THB229.23 |
| 500 - 995 | THB38.97 | THB194.85 |
| 1000 + | THB31.174 | THB155.87 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 279-9636
- Distrelec หมายเลขบทความ:
- 304-42-138
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- VEMD5110X01
- ผู้ผลิต:
- Vishay
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | Silicon PIN Photodiode | |
| Spectrums Detected | Near Infrared Radiation | |
| Wavelength of Peak Sensitivity | 940nm | |
| Package Type | 5 x 4 x 0.9 mm | |
| Packaging | Tape & Reel | |
| Mount Type | Surface | |
| Number of Pins | 4 | |
| Minimum Wavelength Detected | 790nm | |
| Maximum Wavelength Detected | 1050nm | |
| Typical Fall Time | 100ns | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 110°C | |
| Height | 0.9mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 5mm | |
| Angle of Half Sensitivity | ±65 ° | |
| Open Circuit Voltage | 350mV | |
| Typical Rise Time | 100ns | |
| Short Circuit Current | 45μA | |
| Dark Current | 30nA | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Breakdown Voltage | 20V | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type Silicon PIN Photodiode | ||
Spectrums Detected Near Infrared Radiation | ||
Wavelength of Peak Sensitivity 940nm | ||
Package Type 5 x 4 x 0.9 mm | ||
Packaging Tape & Reel | ||
Mount Type Surface | ||
Number of Pins 4 | ||
Minimum Wavelength Detected 790nm | ||
Maximum Wavelength Detected 1050nm | ||
Typical Fall Time 100ns | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 110°C | ||
Height 0.9mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 5mm | ||
Angle of Half Sensitivity ±65 ° | ||
Open Circuit Voltage 350mV | ||
Typical Rise Time 100ns | ||
Short Circuit Current 45μA | ||
Dark Current 30nA | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Breakdown Voltage 20V | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay VEMD5110X01 Near Infrared Radiation Silicon PIN Photodiode Surface 5 x 4 x 0.9 mm
- Vishay VEMD8083 Near Infrared Radiation 60 °, Surface Surface Mount
- Vishay TEFD4300F Near Infrared Radiation Silicon PIN Photodiode Through Hole T-1
- Vishay Visible ±70 °, Surface 1206
- Vishay VEMD6060X01 Visible ±70 °, Surface 1206
- Broadcom AEPD-D0F2-00000 Near Infrared Radiation PIN Photodiode Surface Surface Mount
- Hamamatsu Photonics S12023-10 Near Infrared Radiation PIN Photodiode, Through Hole TO-18
- Vishay BPV10 Visible Infrared Radiation 20 °, Through Hole T-1 3/4
