Hamamatsu Photonics S3884 Near Infrared Radiation Photodiode, Through Hole TO-5
- RS Stock No.:
- 482-439
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- S3884
- ผู้ผลิต:
- Hamamatsu Photonics
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB8,029.69
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB8,591.77
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 10 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 07 กันยายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 4 | THB8,029.69 |
| 5 + | THB7,788.61 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 482-439
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- S3884
- ผู้ผลิต:
- Hamamatsu Photonics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Hamamatsu Photonics | |
| Product Type | Photodiode | |
| Spectrums Detected | Near Infrared Radiation | |
| Wavelength of Peak Sensitivity | 800nm | |
| Package Type | TO-5 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Number of Pins | 3 | |
| Amplified | Yes | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 85°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Dark Current | 1.5nA | |
| Series | S3884 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Hamamatsu Photonics | ||
Product Type Photodiode | ||
Spectrums Detected Near Infrared Radiation | ||
Wavelength of Peak Sensitivity 800nm | ||
Package Type TO-5 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Number of Pins 3 | ||
Amplified Yes | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 85°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
Dark Current 1.5nA | ||
Series S3884 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
The Hamamatsu Photonics Silicon avalanche photodiode (Si APD) designed for near-infrared light detection. It offers stable operation at low bias making it ideal for applications requiring precise light measurement.
High Sensitivity
High speed response
Low noise
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Hamamatsu Photonics S12086 Near Infrared Radiation Photodiode, Through Hole TO-18
- Hamamatsu Photonics S12023-10 Near Infrared Radiation PIN Photodiode, Through Hole TO-18
- Vishay BPV10 Visible Infrared Radiation 20 °, Through Hole T-1 3/4
- Vishay BPW17N ±12 ° Visible, Near Infrared Radiation Phototransistor T-3/4 package
- BPW17N Vishay BPW17N ±12 ° Visible, Near Infrared Radiation Phototransistor T-3/4 package
- Vishay VEMD8083 Near Infrared Radiation 60 °, Surface Surface Mount
- Vishay VEMD5110X01 Near Infrared Radiation Silicon PIN Photodiode Surface 5 x 4 x 0.9 mm
- Vishay Visible ±70 °, Surface 1206
