Hamamatsu Photonics S12086 Near Infrared Radiation Photodiode, Through Hole TO-18
- RS Stock No.:
- 482-440
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- S12086
- ผู้ผลิต:
- Hamamatsu Photonics
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB2,632.97
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,817.28
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 47 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 4 | THB2,632.97 |
| 5 + | THB2,554.17 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 482-440
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- S12086
- ผู้ผลิต:
- Hamamatsu Photonics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Hamamatsu Photonics | |
| Product Type | Photodiode | |
| Spectrums Detected | Near Infrared Radiation | |
| Wavelength of Peak Sensitivity | 800nm | |
| Package Type | TO-18 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Number of Pins | 3 | |
| Minimum Wavelength Detected | 400nm | |
| Maximum Wavelength Detected | 1000nm | |
| Minimum Operating Temperature | -20°C | |
| Maximum Operating Temperature | 85°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Diameter | 0.5mm | |
| Series | S12023 | |
| Automotive Standard | No | |
| Dark Current | 30nA | |
| Breakdown Voltage | 200V | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Hamamatsu Photonics | ||
Product Type Photodiode | ||
Spectrums Detected Near Infrared Radiation | ||
Wavelength of Peak Sensitivity 800nm | ||
Package Type TO-18 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Number of Pins 3 | ||
Minimum Wavelength Detected 400nm | ||
Maximum Wavelength Detected 1000nm | ||
Minimum Operating Temperature -20°C | ||
Maximum Operating Temperature 85°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Diameter 0.5mm | ||
Series S12023 | ||
Automotive Standard No | ||
Dark Current 30nA | ||
Breakdown Voltage 200V | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
The Hamamatsu Photonics Silicon avalanche photodiode (Si APD) optimized for near-infrared light detection. It operates efficiently at low bias voltage and is designed for applications requiring high-speed response and precise light measurement.
Low Noise
High speed response
High sensitivity
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Hamamatsu Photonics S3884 Near Infrared Radiation Photodiode, Through Hole TO-5
- Hamamatsu Photonics S12023-10 Near Infrared Radiation PIN Photodiode, Through Hole TO-18
- Vishay BPV10 Visible Infrared Radiation 20 °, Through Hole T-1 3/4
- Vishay VEMD8083 Near Infrared Radiation 60 °, Surface Surface Mount
- Vishay VEMD5110X01 Near Infrared Radiation Silicon PIN Photodiode Surface 5 x 4 x 0.9 mm
- Vishay Visible ±70 °, Surface 1206
- Vishay VEMD6060X01 Visible ±70 °, Surface 1206
- Vishay TEFD4300F Near Infrared Radiation Silicon PIN Photodiode Through Hole T-1