Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 64 A, 55 V TO-263 IRFZ48NSTRLPBF
- RS Stock No.:
- 258-3990
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFZ48NSTRLPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB89.55
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB95.818
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 568 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | THB44.775 | THB89.55 |
| 10 - 98 | THB40.015 | THB80.03 |
| 100 - 248 | THB32.18 | THB64.36 |
| 250 - 498 | THB24.905 | THB49.81 |
| 500 + | THB22.67 | THB45.34 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 258-3990
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFZ48NSTRLPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 64A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 55V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.014Ω | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 81nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 130W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Distrelec Product Id | 304-40-547 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 64A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 55V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.014Ω | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 81nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 130W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Distrelec Product Id 304-40-547 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon HEXFET power MOSFETs from international rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The D2Pak is a surface mount power package capable of accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the highest power capability and the lowest possible on-resistance in any existing surface mount package. The D2Pak is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2.0W in a typical surface mount application.
Advanced Process Technology
Surface Mount
Low-profile through-hole
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFZ48NPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFI3205PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V TO-263 IRL3705NSTRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V, 7-Pin TO-263