Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 1.2 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 IRLML2803TRPBF

RS Stock No.:: 302-022
Distrelec หมายเลขบทความ:: 304-36-995
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRLML2803TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 1.2 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 IRLML2803TRPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 750 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB126.00

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB34.20

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB36.60

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

285 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
เพิ่มอีก 2,500 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 18 พฤศจิกายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
เพิ่มอีก 6,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 11 พฤศจิกายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*	การประหยัด
5 - 745	THB6.84	THB34.20	-
750 - 1495	THB6.672	THB33.36	THB126.00
1500 +	THB6.568	THB32.84	THB408.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 302-022
Distrelec หมายเลขบทความ:: 304-36-995
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRLML2803TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	1.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	HEXFET
	Package Type	SOT-23
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	250mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-20V, +20V
	Maximum Power Dissipation Pd	540mW
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	3.3nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	1.4mm
	Height	1.02mm
	Standards/Approvals	No
	Length	3.04mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 1.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series HEXFET
	Package Type SOT-23
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 250mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V
	Maximum Power Dissipation Pd 540mW
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 3.3nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 1.4mm
	Height 1.02mm
	Standards/Approvals No
	Length 3.04mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Infineon HEXFET Series MOSFET, 1.2A Maximum Continuous Drain Current, 540 mW Maximum Power Dissipation - IRLML2803TRPBF

This N-channel MOSFET delivers enhanced performance and reliability for a range of electronic applications. Designed with Hexfet technology, it operates efficiently in surface mount configurations, making it suitable for compact designs in the automation and electrical sectors. The combination of low RDS(on) and a high continuous drain current supports optimal power management in various conditions.

Features & Benefits

• Supports a maximum continuous drain current of 1.2A for effective performance

• High maximum drain-source voltage of 30V allows for versatile usage

• Low maximum drain-source resistance of 250mΩ minimises power losses

• Enhancement mode operation enables efficient switching capabilities

• Compact SOT-23 package is ideal for space-constrained applications

• Operates at high temperatures, with a maximum operating temperature of +150°C

Applications

• Utilised in DC-DC converters for effective energy management

• Employed in motor control circuits for improved precision

• Suitable for power supply switching in consumer electronics

• Integrated into automation systems for efficient load management

What is the optimal gate voltage for operation?

The optimal gate voltage for this device is +10V, allowing for efficient switching and performance.

How does it perform in high temperatures?

This component can function at temperatures up to +150°C, ensuring reliability in thermal conditions.

Can it handle pulsed drain currents?

Yes, it supports pulsed drain currents significantly above continuous ratings, accommodating short current surges.

What mounting type is recommended for this device?

Surface mount is the recommended type, as it provides better thermal performance and space efficiency in circuit designs.

What precautions should be taken during installation?

Proper thermal management and adherence to maximum ratings are necessary to prevent damage during operation.