Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 1.2 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 IRLML2803TRPBF
- RS Stock No.:
- 302-022
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRLML2803TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB28.55
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB30.55
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 805 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
- เพิ่มอีก 1,755 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 745 | THB5.71 | THB28.55 |
| 750 - 1495 | THB5.57 | THB27.85 |
| 1500 + | THB5.484 | THB27.42 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 302-022
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRLML2803TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 1.2A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 250mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 540mW | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 3.3nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 3.04mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 1.4 mm | |
| Height | 1.02mm | |
| Distrelec Product Id | 304-36-995 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 1.2A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 250mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 540mW | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 3.3nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 3.04mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 1.4 mm | ||
Height 1.02mm | ||
Distrelec Product Id 304-36-995 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Infineon HEXFET Series MOSFET, 1.2A Maximum Continuous Drain Current, 540 mW Maximum Power Dissipation - IRLML2803TRPBF
This N-channel MOSFET delivers enhanced performance and reliability for a range of electronic applications. Designed with Hexfet technology, it operates efficiently in surface mount configurations, making it suitable for compact designs in the automation and electrical sectors. The combination of low RDS(on) and a high continuous drain current supports optimal power management in various conditions.
Features & Benefits
• Supports a maximum continuous drain current of 1.2A for effective performance
• High maximum drain-source voltage of 30V allows for versatile usage
• Low maximum drain-source resistance of 250mΩ minimises power losses
• Enhancement mode operation enables efficient switching capabilities
• Compact SOT-23 package is ideal for space-constrained applications
• Operates at high temperatures, with a maximum operating temperature of +150°C
Applications
• Utilised in DC-DC converters for effective energy management
• Employed in motor control circuits for improved precision
• Suitable for power supply switching in consumer electronics
• Integrated into automation systems for efficient load management
What is the optimal gate voltage for operation?
The optimal gate voltage for this device is +10V, allowing for efficient switching and performance.
How does it perform in high temperatures?
This component can function at temperatures up to +150°C, ensuring reliability in thermal conditions.
Can it handle pulsed drain currents?
Yes, it supports pulsed drain currents significantly above continuous ratings, accommodating short current surges.
What mounting type is recommended for this device?
Surface mount is the recommended type, as it provides better thermal performance and space efficiency in circuit designs.
What precautions should be taken during installation?
Proper thermal management and adherence to maximum ratings are necessary to prevent damage during operation.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 IRLML2402TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 IRLML2060TRPBF
- DiodesZetex ZXMN6A07F Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 ZXMN6A07FTA
- DiodesZetex ZXMN6A07F Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
