Vishay Type N-Channel MOSFET, 4.3 A, 100 V Enhancement, 3-Pin IPAK (TO-251)
- RS Stock No.:
- 918-9871
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRLU110PBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 75 ชิ้น)*
THB1,699.575
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,818.525
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 16 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 75 - 75 | THB22.661 | THB1,699.58 |
| 150 - 225 | THB22.169 | THB1,662.68 |
| 300 + | THB21.676 | THB1,625.70 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 918-9871
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRLU110PBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 4.3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | IPAK (TO-251) | |
| Mount Type | Through Hole, Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.76Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±10 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 25W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 6.1nC | |
| Forward Voltage Vf | 2.5V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 6.22mm | |
| Length | 6.73mm | |
| Standards/Approvals | Halogen Free According to IEC 61249-2-21, JEDEC JS709A, RoHS Directive 2002/95/EC | |
| Width | 2.38 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 4.3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type IPAK (TO-251) | ||
Mount Type Through Hole, Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.76Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±10 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 25W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.1nC | ||
Forward Voltage Vf 2.5V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 6.22mm | ||
Length 6.73mm | ||
Standards/Approvals Halogen Free According to IEC 61249-2-21, JEDEC JS709A, RoHS Directive 2002/95/EC | ||
Width 2.38 mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin IPAK (TO-251) IRLU110PBF
- Vishay IRFU Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin IPAK (TO-251)
- Vishay IRFU Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin IPAK (TO-251) IRFU110PBF
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel Power MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin IPAK (TO-251)
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel Power MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin IPAK (TO-251) STU7NM60N
- Vishay IRFR Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR110PBF
- Vishay IRFR Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220
