onsemi Isolated PowerTrench 2 N-Channel MOSFET, 3.5 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC FDS9945

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 625 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB393.75

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*

THB629.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB673.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 2,275 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
การประหยัด
25 - 600THB25.16THB629.00-
625 - 1225THB24.53THB613.25THB393.75
1250 +THB24.152THB603.80THB1,260.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
917-5500
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FDS9945
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

3.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

PowerTrench

Package Type

SOIC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

100mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

800mV

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

8nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-20V, +20V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

5mm

Width

4mm

Standards/Approvals

No

Height

1.5mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor


MOSFET Transistors, ON Semi


ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง