onsemi Isolated PowerTrench 2 Type N-Channel MOSFET, 3.5 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- RS Stock No.:
- 166-3363
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDS9945
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB25,705.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB27,505.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 25 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | THB10.282 | THB25,705.00 |
| 5000 - 7500 | THB9.973 | THB24,932.50 |
| 10000 + | THB9.674 | THB24,185.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 166-3363
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDS9945
- ผู้ผลิต:
- onsemi
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 3.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | SOIC | |
| Series | PowerTrench | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 100mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 0.8V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 8nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2W | |
| Transistor Configuration | Isolated | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 4 mm | |
| Height | 1.5mm | |
| Length | 5mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 3.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type SOIC | ||
Series PowerTrench | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 100mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 0.8V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2W | ||
Transistor Configuration Isolated | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 4 mm | ||
Height 1.5mm | ||
Length 5mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard No | ||
PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi Isolated PowerTrench 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC FDS9945
- onsemi Isolated PowerTrench 2 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- onsemi Isolated PowerTrench 2 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SOIC FDS89141
- onsemi Isolated PowerTrench 2 Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- onsemi Isolated PowerTrench 2 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- onsemi Isolated PowerTrench 2 Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- onsemi Isolated PowerTrench 2 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- onsemi Isolated PowerTrench 2 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC