Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 32 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR3411TRPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB782.02

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB836.76

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 1,080 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
20 +THB39.101THB782.02

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
915-5014
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRFR3411TRPBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

32A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-252

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

44mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

48nC

Maximum Power Dissipation Pd

130W

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

6.73mm

Height

2.39mm

Standards/Approvals

No

Width

7.49 mm

Automotive Standard

No

Infineon HEXFET Series MOSFET, 32A Maximum Continuous Drain Current, 130W Maximum Power Dissipation - IRFR3411TRPBF


This MOSFET is crucial for high-power electronic applications, delivering robust performance with low on-resistance and a wide operating temperature range. Utilising HEXFET technology, it ensures efficient operation, making it suitable for various industrial and automation tasks. Its surface-mount DPAK (TO-252) package facilitates easy integration into electronic circuits, while the enhancement mode design optimises switching efficiency.

Features & Benefits


• Continuous drain current capability of 32A for versatile applications

• Maximum voltage rating of 100V for flexible usage

• Low RDS(on) of 44mΩ reduces power loss and heat generation

• Maximum power dissipation of 130W for enhanced durability

• Supports high-speed switching for improved circuit performance

• Surface mounting design simplifies PCB integration

Applications


• Utilised in DC-DC converters within industrial power supply systems

• Effective for motor control circuits in robotics and automation

• Suitable for power management in telecommunications equipment

• Employed in electronic lighting systems for energy efficiency

What type of PCB mounting methods are compatible with this device?


It is designed for surface mounting using vapour phase, infrared, or wave soldering techniques, ensuring versatility in assembly methods.

Can this device handle pulsed drain currents?


Yes, it is rated for pulsed drain currents up to 110A, allowing flexibility in transient load conditions without damage.

What is the thermal resistance for this component?


The junction-to-case thermal resistance is 1.2°C/W, enabling effective heat management during operation.

What temperature range can it operate in?


This MOSFET operates effectively between -55°C and +175°C, suited for extreme environmental conditions.

How does the gate charge impact performance?


With a typical gate charge of 48nC at 10V, it ensures faster switching times, reducing losses and improving efficiency in circuits.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง