Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 31 A, 100 V Enhancement TO-252 IRFR3410TRLPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB558.98

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB598.10

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • 17,700 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
20 - 740THB27.949THB558.98
760 - 1480THB27.25THB545.00
1500 +THB26.831THB536.62

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
218-3106
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRFR3410TRLPBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

31A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

HEXFET

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

31Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Power Dissipation Pd

110W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

56nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

2.39 mm

Length

6.73mm

Height

6.22mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Distrelec Product Id

304-39-421

The Infineon HEXFET series single N-Channel power MOSFET integrated with DPAK (TO-252) type package. This MOSFET is mainly used in high frequency DC-DC converters.

RoHS Compliant

175°C Operating Temperature

Fast switching

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง