Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 130 A, 100 V TO-220 IRFS4310TRLPBF
- RS Stock No.:
- 257-5795
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFS4310TRLPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB297.88
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB318.74
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 27 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | THB148.94 | THB297.88 |
| 10 - 48 | THB133.885 | THB267.77 |
| 50 - 98 | THB131.25 | THB262.50 |
| 100 - 248 | THB113.10 | THB226.20 |
| 250 + | THB111.235 | THB222.47 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 257-5795
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFS4310TRLPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 130A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 7mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 170nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 330W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 130A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 7mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 170nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 330W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon MOSFET is improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness and fully characterized capacitance and avalanche SOA.
High efficiency synchronous rectification
Lead-free
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFB4310PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V TO-252 IRLR3114ZTRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IRFP4668PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V TO-220
