Infineon OptiMOS P Type P-Channel Power Transistor, 90 A, 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252

RS Stock No.:: 911-5007
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD90P03P4L04ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS P Type P-Channel Power Transistor, 90 A, 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*

THB153,140.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB163,860.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
2500 - 2500	THB61.256	THB153,140.00
5000 - 7500	THB59.418	THB148,545.00
10000 +	THB57.636	THB144,090.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 911-5007
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD90P03P4L04ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	Power Transistor
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	90A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	OptiMOS P
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	4.1mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	125nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	16 V
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Power Dissipation Pd	137W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	2.3mm
	Length	6.5mm
	Width	6.22 mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	AEC-Q

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type Power Transistor
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 90A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series OptiMOS P
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 4.1mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 125nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 16 V
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Power Dissipation Pd 137W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 2.3mm
	Length 6.5mm
	Width 6.22 mm
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard AEC-Q

COO (Country of Origin):: DE

Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs

The Infineon OptiMOS™ P-Channel power MOSFETs are designed to give enhanced features meeting quality performances. Features include ultra-low switching loss, on-state resistance, Avalanche ratings as well as being AEC qualified for automotive solutions. Applications include dc-dc, motor control, automotive and eMobility.

Enhancement mode

Avalanche rated

Low switching and conduction power losses

Pb-free lead plating; RoHS compliant

Standard packages

OptiMOS™ P-Channel Series: Temperature range from -55°C to +175°C

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Infineon OptiMOS P Type P-Channel Power Transistor, 90 A, 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs

MOSFET Transistors, Infineon

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง