Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET, 180 A, 40 V Enhancement, 7-Pin TO-263 IPB011N04NGATMA1

RS Stock No.:: 145-9552
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPB011N04NGATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET, 180 A, 40 V Enhancement, 7-Pin TO-263 IPB011N04NGATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 2000 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB3,568.00

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*

THB59,470.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB63,630.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 08 เมษายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*	การประหยัด
1000 - 1000	THB59.47	THB59,470.00	-
2000 - 3000	THB57.686	THB57,686.00	THB3,568.00
4000 +	THB55.955	THB55,955.00	THB14,060.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 145-9552
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPB011N04NGATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	180A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	TO-263
	Series	OptiMOS 3
	Mount Type	Surface
	Pin Count	7
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.1mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-20V, +20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	188nC
	Maximum Power Dissipation Pd	250W
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	4.57mm
	Length	10.31mm
	Standards/Approvals	No
	Width	9.45mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 180A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type TO-263
	Series OptiMOS 3
	Mount Type Surface
	Pin Count 7
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.1mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 188nC
	Maximum Power Dissipation Pd 250W
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 4.57mm
	Length 10.31mm
	Standards/Approvals No
	Width 9.45mm
	Automotive Standard No

สถานะRoHS: ไม่สามารถใช้ได้

COO (Country of Origin):: CN

Infineon OptiMOS™ 3 Series MOSFET, 180A Maximum Continuous Drain Current, 250W Maximum Power Dissipation - IPB011N04NGATMA1

This MOSFET is optimised for high-performance applications in the electrical and mechanical sectors. It features a sturdy design and efficient operation, making it suitable for automation systems. With a maximum continuous drain current of 180 A and a maximum drain-source voltage of 40V, it provides enhanced efficiency and reliability in circuit performance.

Features & Benefits

• High current handling improves system efficiency and performance

• Low Rds(on) reduces power loss during operation

• Surface mount design allows easy integration into PCBs

• Capable of dissipating up to 250W, serving a variety of applications

• Wide operating temperature range ensures functionality in different environments - N-channel configuration offers improved switching characteristics

Applications

• Utilised in motor control and drive systems

• Suitable for power management in industrial automation

• Employed in DC-DC converters and inverters

• Used for load switching in power distribution systems

• Applicable in renewable energy systems, such as solar inverters

What is the maximum continuous drain current for this device?

The device can handle up to 180A of continuous drain current, making it appropriate for high-power applications.

Can it operate in high temperatures?

Yes, it has a maximum operating temperature of +175°C, allowing consistent performance under challenging conditions.

What are the gate threshold voltage specifications?

The maximum gate threshold voltage is 4V, while the minimum is 2V, providing flexibility in operational compatibility.

What type of mounting does this component support?

This product is designed for surface mounting, facilitating straightforward installation on various circuit boards.

How does this MOSFET contribute to power efficiency?

Its low Rds(on) Value of 1.1 mΩ significantly reduces power loss, enhancing the efficiency of electronic systems overall.