N-Channel MOSFET, 28 A, 600 V, 3-Pin D2PAK Vishay SiHB28N60EF-GE3

RS Stock No.:: 903-4504
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SiHB28N60EF-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

N-Channel MOSFET, 28 A, 600 V, 3-Pin D2PAK Vishay SiHB28N60EF-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each: (In a Pack of 2)**

THB210.855

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB225.615

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

642 มีของพร้อมจัดส่งภายใน (In stock for delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Units	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค**
2 - 248	THB210.855	THB421.71
250 - 498	THB205.585	THB411.17
500 +	THB202.425	THB404.85

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 903-4504
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SiHB28N60EF-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	28 A
Maximum Drain Source Voltage	600 V
Series	EF Series
Package Type	D2PAK (TO-263)
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	123 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Maximum Power Dissipation	250 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs	80 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Transistor Material	Si
Length	10.67mm
Width	9.65mm
Number of Elements per Chip	1
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	4.83mm
Forward Diode Voltage	1.2V

N-Channel MOSFET, 28 A, 600 V, 3-Pin D2PAK Vishay SiHB28N60EF-GE3

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

N-Channel MOSFET with Fast Diode, EF Series, Vishay Semiconductor

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง