onsemi PowerTrench Type P-Channel MOSFET, 8.8 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4435DY

RS Stock No.:: 903-4412
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI4435DY
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi PowerTrench Type P-Channel MOSFET, 8.8 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4435DY

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 630 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 2%

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB327.30

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB350.20

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

สต็อกสุดท้ายของ RS

10 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
560 ชิ้นสุดท้ายส่งจากวันที่ 19 พฤศจิกายน 2569

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*	การประหยัด
10 - 620	THB32.73	THB327.30	-
630 - 1240	THB31.912	THB319.12	2%
1250 +	THB31.421	THB314.21	3%

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 903-4412
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI4435DY
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	8.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	PowerTrench
	Package Type	SOIC
	Mount Type	Solder
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	35mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-20V, +20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	17nC
	Maximum Power Dissipation Pd	2.5W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Width	3.9mm
	Standards/Approvals	No
	Length	4.9mm
	Height	1.57mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 8.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series PowerTrench
	Package Type SOIC
	Mount Type Solder
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 35mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 17nC
	Maximum Power Dissipation Pd 2.5W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Width 3.9mm
	Standards/Approvals No
	Length 4.9mm
	Height 1.57mm
	Automotive Standard No

PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.

The latest PowerTrench® MOSFETs employa shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this Advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generations.

Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuits or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

onsemi PowerTrench Type P-Channel MOSFET, 8.8 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4435DY

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ตัวเลือกราคาสำหรับซื้อจำนวนมาก

PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง