Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB083N10N3GATMA1
- RS Stock No.:
- 897-7361
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB083N10N3GATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 8 ชิ้น)*
THB570.24
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB610.16
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 288 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 8 - 248 | THB71.28 | THB570.24 |
| 256 - 496 | THB69.498 | THB555.98 |
| 504 + | THB68.431 | THB547.45 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 897-7361
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB083N10N3GATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 80A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | OptiMOS 3 | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 15.1mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 125W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 42nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 4.57mm | |
| Width | 9.45 mm | |
| Length | 10.31mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 80A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series OptiMOS 3 | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 15.1mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 125W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 42nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 4.57mm | ||
Width 9.45 mm | ||
Length 10.31mm | ||
Automotive Standard No | ||
สถานะRoHS: ไม่สามารถใช้ได้
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET & Diode 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB065N10N3GATMA1
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-262
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-262 IPI086N10N3GXKSA1
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD082N10N3GATMA1
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP072N10N3GXKSA1
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-263