N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB083N10N3GATMA1

RS Stock No.:: 897-7361
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPB083N10N3GATMA1
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Infineon

N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB083N10N3GATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each: (In a Pack of 8)**

THB71.28

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB76.27

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

352 มีของพร้อมจัดส่งภายใน (In stock for delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค**
8 - 248	THB71.28	THB570.24
256 - 496	THB69.498	THB555.984
504 +	THB68.431	THB547.448

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 897-7361
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPB083N10N3GATMA1
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Infineon

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	80 A
Maximum Drain Source Voltage	100 V
Series	OptiMOS™ 3
Package Type	D2PAK (TO-263)
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	15.1 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Maximum Power Dissipation	125 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip	1
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Width	9.45mm
Typical Gate Charge @ Vgs	42 nC @ 10 V
Length	10.31mm
Transistor Material	Si
Height	4.57mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Forward Diode Voltage	1.2V

N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB083N10N3GATMA1

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง