Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-262 IPI086N10N3GXKSA1

RS Stock No.:: 145-9306
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPI086N10N3GXKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-262 IPI086N10N3GXKSA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 100 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 2%

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB2,019.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB2,160.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

1,150 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*	การประหยัด
50 - 50	THB40.38	THB2,019.00	-
100 - 150	THB39.502	THB1,975.10	2%
200 +	THB38.624	THB1,931.20	4%

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 145-9306
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPI086N10N3GXKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	80A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	OptiMOS 3
	Package Type	TO-262
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	15.4mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-20V, +20V
	Maximum Power Dissipation Pd	125W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	42nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	11.177mm
	Standards/Approvals	No
	Length	10.36mm
	Width	4.57mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 80A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series OptiMOS 3
	Package Type TO-262
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 15.4mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V
	Maximum Power Dissipation Pd 125W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 42nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 11.177mm
	Standards/Approvals No
	Length 10.36mm
	Width 4.57mm
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: CN

Infineon OptiMOS™ 3 Series MOSFET, 80A Maximum Continuous Drain Current, 125W Maximum Power Dissipation - IPI086N10N3GXKSA1

This MOSFET is designed for high-efficiency power management applications and is suitable for various sectors, including automation and electronics. With a continuous drain current of 80A and a maximum drain-source voltage of 100V, it offers a dependable and efficient solution for electronic systems.

Features & Benefits

• N-channel design optimises electrical performance

• Low RDS(on) reduces power losses

• High power dissipation capability accommodates intensive applications

• Enhanced gate threshold improves switching efficiency

• Through hole mounting allows easy integration into circuits

Applications

• Used for high-frequency switching in power supplies

• Facilitates synchronous rectification in converter circuits

• Suitable for industrial automation systems requiring efficient power control

• Applied in various electronic devices for enhanced energy efficiency

• Appropriate for automotive requiring consistent performance

What is the significance of the low RDS(on) in this device?

The low RDS(on) value minimises energy losses during switching, increasing overall system performance.

How does the MOSFET handle high temperatures?

It is designed to function at temperatures up to 175°C, ensuring consistent performance even in challenging environmental conditions.

What mounting type does this component require?

It features a through hole mounting design that facilitates straightforward integration into existing PCB layouts.

Is it suitable for use in synchronous rectification?

Yes, it is specifically designed for efficient synchronous rectification in power electronics, promoting overall energy savings.

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.