Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET, 80 A, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB054N08N3GATMA1
- RS Stock No.:
- 124-8754
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB054N08N3GATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 2000 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB2,060.00
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*
THB34,357.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB36,762.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 5,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 1000 - 1000 | THB34.357 | THB34,357.00 | - |
| 2000 - 3000 | THB33.327 | THB33,327.00 | THB2,060.00 |
| 4000 + | THB32.327 | THB32,327.00 | THB8,120.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 124-8754
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB054N08N3GATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 80A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | OptiMOS 3 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 9.9mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 150W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 52nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 10.31mm | |
| Width | 9.45mm | |
| Height | 4.57mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 80A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series OptiMOS 3 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 9.9mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 150W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 52nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 10.31mm | ||
Width 9.45mm | ||
Height 4.57mm | ||
Automotive Standard No | ||
สถานะRoHS: ไม่สามารถใช้ได้
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 60 to 80V
MOSFET Transistors, Infineon
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB054N08N3GATMA1
- Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP057N08N3GXKSA1
- Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD082N10N3GATMA1
- Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP072N10N3GXKSA1
- Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-262
- Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-262 IPI086N10N3GXKSA1
