onsemi FQD7P20TM Type P-Channel MOSFET, 5.7 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-252

RS Stock No.:: 864-4948
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FQD7P20TM
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi FQD7P20TM Type P-Channel MOSFET, 5.7 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-252

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (2500 ชิ้น, ในม้วนขนาด 2500)*

THB47,490.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB50,815.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ขาดตลาด

2,500 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

สต็อกปัจจุบันของเรามีจำนวนจำกัด และซัพพลายเออร์ของเราคาดว่าสินค้าจะขาดแคลน

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
2500 - 2500	THB18.996	THB47,490.00
5000 - 7500	THB18.426	THB46,065.00
10000 +	THB17.874	THB44,685.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือก

สินค้านี้ไม่มีจำหน่ายในขณะนี้ ลองดูสินค้าอื่นที่เราแนะนำ

onsemi FQD7P20TM Type P-Channel MOSFET, 5.7 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-252 FQD7P20TM

RS Stock No.: 671-1034

Each: (In a Pack of 5)

THB250.34

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB267.86

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

RS Stock No.:: 864-4948
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FQD7P20TM
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	5.7A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	200V
	Package Type	TO-252
	Series	FQD7P20TM
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	690mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	19nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-30V, +30V
	Maximum Power Dissipation Pd	2.5W
	Forward Voltage Vf	-5V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Width	6.1mm
	Length	6.6mm
	Height	2.3mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 5.7A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 200V
	Package Type TO-252
	Series FQD7P20TM
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 690mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 19nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -30V, +30V
	Maximum Power Dissipation Pd 2.5W
	Forward Voltage Vf -5V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Width 6.1mm
	Length 6.6mm
	Height 2.3mm
	Automotive Standard No

Enhancement Mode P-Channel MOSFET, ON Semiconductor

ON Semiconductors range of P-Channel MOSFETS are produced using ON Semi’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance to provide a rugged and reliable performance for fast switching.

Features and Benefits:

• Voltage controlled P-Channel small signal switch

• High-Density cell design

• High saturation current

• Superior switching

• Great rugged and reliable performance

• DMOS technology

Applications:

• Load Switching

• DC/DC converter

• Battery protection

• Power management control

• DC motor control

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.