onsemi FQD7P20TM Type P-Channel MOSFET, 5.7 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-252 FQD7P20TM

RS Stock No.:: 671-1034
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FQD7P20TM
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi FQD7P20TM Type P-Channel MOSFET, 5.7 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-252 FQD7P20TM

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB217.69

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB232.93

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ขาดตลาด

เพิ่มอีก 25 ชิ้นที่เหลือจะส่งจากวันที่ 09 กุมภาพันธ์ 2569
เพิ่มอีก 4,010 ชิ้นที่เหลือจะส่งจากวันที่ 16 กุมภาพันธ์ 2569

สต็อกปัจจุบันของเรามีจำนวนจำกัด และซัพพลายเออร์ของเราคาดว่าสินค้าจะขาดแคลน

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 620	THB43.538	THB217.69
625 - 1245	THB42.45	THB212.25
1250 +	THB41.796	THB208.98

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 671-1034
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FQD7P20TM
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	5.7A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	200V
	Series	FQD7P20TM
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	690mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±30 V
	Forward Voltage Vf	-5V
	Maximum Power Dissipation Pd	2.5W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	19nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Height	2.3mm
	Width	6.1 mm
	Length	6.6mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 5.7A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 200V
	Series FQD7P20TM
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 690mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±30 V
	Forward Voltage Vf -5V
	Maximum Power Dissipation Pd 2.5W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 19nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Height 2.3mm
	Width 6.1 mm
	Length 6.6mm
	Automotive Standard No

Enhancement Mode P-Channel MOSFET, ON Semiconductor

ON Semiconductors range of P-Channel MOSFETS are produced using ON Semi’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance to provide a rugged and reliable performance for fast switching.

Features and Benefits:

• Voltage controlled P-Channel small signal switch

• High-Density cell design

• High saturation current

• Superior switching

• Great rugged and reliable performance

• DMOS technology

Applications:

• Load Switching

• DC/DC converter

• Battery protection

• Power management control

• DC motor control

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.