Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 161 A, 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRLR7843TRPBF
- RS Stock No.:
- 830-3382
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRLR7843TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB211.38
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB226.18
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 60 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
- เพิ่มอีก 13,900 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 490 | THB21.138 | THB211.38 |
| 500 - 990 | THB20.61 | THB206.10 |
| 1000 + | THB20.294 | THB202.94 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 830-3382
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRLR7843TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 161A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 140W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 34nC | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.73mm | |
| Width | 6.22 mm | |
| Height | 2.39mm | |
| Distrelec Product Id | 304-37-849 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 161A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 140W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 34nC | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.73mm | ||
Width 6.22 mm | ||
Height 2.39mm | ||
Distrelec Product Id 304-37-849 | ||
Automotive Standard No | ||
Infineon HEXFET Series MOSFET, 161A Maximum Continuous Drain Current, 140W Maximum Power Dissipation - IRLR7843TRPBF
This MOSFET is tailored for high-performance applications in the electrical and electronics sectors, especially suitable for automotive and industrial needs. Its HEXFET technology ensures impressive efficiency and reliability, making it Ideal for high-frequency synchronous buck converters and isolated DC-DC converters. The device effectively manages power dissipation, enhancing the performance of electronic systems.
Features & Benefits
• Extremely low RDS(on) optimises power loss and efficiency
• High continuous drain current rating supports intensive applications
• Designed for high operating temperatures to ensure performance
• Lead-free construction meets environmentally conscious design standards
• Low gate charge improves switching behaviour in circuits
Applications
• Used in high-frequency synchronous buck converters
• Employed in isolated DC-DC converters for telecom systems
• Serves automotive power management systems
• Suitable for industrial power supplies requiring enhanced efficiency
• Ideal for power regulation in computer processors
What are the typical thermal performance characteristics?
The maximum operating temperature is +175°C with a thermal resistance of 50°C/W from junction to ambient, ensuring effective performance in thermal environments.
How does the low RDS(on) affect overall circuit design?
Low RDS(on) reduces conduction losses, leading to improved efficiency under varying load conditions, which is Crucial for high-performance designs.
Can it handle Pulse currents effectively?
Yes, it can accommodate pulsed drain currents of up to 620 A, ensuring operational reliability under dynamic loads.
What mounting methods are compatible with this component?
As a surface mount component in DPAK package, it is suitable for automated assembly processes.
Is it suitable for use in automotive applications?
Yes, its specifications, including a maximum drain-source voltage rating of 30V, make it fitting for automotive power systems.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR3709ZTRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRLR8743TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR3709ZTRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252
