Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 28 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRLR2705TRPBF

RS Stock No.:: 830-3348
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRLR2705TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 28 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRLR2705TRPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB489.98

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB524.28

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

100 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
เพิ่มอีก 2,140 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
20 - 480	THB24.499	THB489.98
500 - 980	THB23.887	THB477.74
1000 +	THB23.519	THB470.38

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 830-3348
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRLR2705TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	28A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	55V
	Package Type	TO-252
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	65mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	68W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	16 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	25nC
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Length	6.73mm
	Width	6.22 mm
	Height	2.39mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 28A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 55V
	Package Type TO-252
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 65mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 68W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 16 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 25nC
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Length 6.73mm
	Width 6.22 mm
	Height 2.39mm
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: CN

Infineon HEXFET Series MOSFET, 28A Maximum Continuous Drain Current, 68W Maximum Power Dissipation - IRLR2705TRPBF

This MOSFET is engineered for outstanding performance across a range of electronic applications. Leveraging modern advancements in MOSFET technology, it plays a significant role in switching applications where efficiency and dependability are essential. Its distinct features make it an excellent option for automation and electrical systems that require high current handling and robust operation.

Features & Benefits

• High continuous drain current of 28A improves performance

• Maximum voltage rating of 55V boosts switching capabilities

• Low on-resistance of 65mΩ minimises energy loss

• Operates effectively at temperatures up to +175°C

• Designed for surface mounting in a DPAK TO-252 package for efficiency

• Single enhancement mode configuration facilitates circuit design

Applications

• Suitable for power management in industrial automation

• Ideal for energy-efficient switching in power supplies

• Commonly utilised in motor control circuits

• Appropriate for use in DC-DC converters

What is the maximum power dissipation for this component?

The maximum power dissipation is 68W, allowing for efficient heat management during operation.

How does the operating temperature range affect usage?

The device operates effectively between -55°C and +175°C, making it suitable for various environmental conditions.

Is there a specific installation method recommended for this MOSFET?

The device is designed for surface mounting using techniques like soldering to ensure reliable connections.

Can this MOSFET be used in parallel with others?

Yes, it can be used in parallel configurations, but proper thermal management is essential to prevent overheating.

What type of gate drive is recommended for optimal performance?

A logic-level gate drive is recommended for efficient switching, ensuring the device operates within its specified threshold levels.