Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET, 30 A, 75 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD30N08S2L21ATMA1

RS Stock No.:: 827-5120
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD30N08S2L21ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET, 30 A, 75 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD30N08S2L21ATMA1

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (25 ชิ้น, ในแพ็คขนาด 25)*

THB1,316.25

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,408.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

2,400 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
25 - 600	THB52.65	THB1,316.25
625 - 1225	THB51.334	THB1,283.35
1250 +	THB50.544	THB1,263.60

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 827-5120
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD30N08S2L21ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	30A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	75V
	Series	OptiMOS
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	26mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-20V, +20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	56nC
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	136W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	2.41mm
	Length	6.73mm
	Width	6.22mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 30A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 75V
	Series OptiMOS
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 26mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 56nC
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 136W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 2.41mm
	Length 6.73mm
	Width 6.22mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard AEC-Q101

สถานะRoHS: ไม่สามารถใช้ได้

Infineon OptiMOS Series MOSFET, 75V Maximum Drain Source Voltage, 30A Maximum Continuous Drain Current - IPD30N08S2L21ATMA1

This MOSFET is a power switching transistor designed for demanding electronic systems, providing controlled conduction between drain and source in N-channel enhancement-mode configurations. It is intended for surface-mount assembly in compact power designs and for use where elevated operating temperatures and automotive-grade qualification are required.

Features and Benefits:

• 75V drain voltage enabling robust high-voltage switching
• 30A continuous current supporting substantial load delivery
• 26mΩ low Rds(on) reducing conduction losses
• 136W dissipation capacity aiding thermal margin in designs
• 56nC typical gate charge improving switching speed control
• ±20V gate tolerance allowing flexible gate-drive schemes

Applications

• Suitable for automotive DC-DC converter stages
• Ideal for synchronous rectification in power supplies
• Used with motor-drive inverter front-end circuits
• Can be used for high-efficiency point-of-load converters
• Suitable for board-level power management in vehicles

What packaging type should designers expect for PCB layout?

The device is supplied in a TO-252 package intended for surface mounting, which affects land-pattern and thermal-pad design.

How does the device handle extreme ambient conditions?

It is rated to operate across a wide temperature span from -55°C up to 175°C to suit high-temperature environments.

What gate-drive considerations are required for control circuitry?

The maximum gate-source rating is ±20V

gate-drive circuits should limit excursions within this range and account for the 56nC typical gate charge when sizing drivers.

Are there specific thermal performance constraints to plan for?

With a maximum power dissipation of 136W, thermal management must consider conduction paths and board-level heat sinking to maintain junction limits.