Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 30 A, 75 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD30N08S2L21ATMA1
- RS Stock No.:
- 827-5120
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD30N08S2L21ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*
THB1,165.125
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,246.675
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 2,450 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 25 - 600 | THB46.605 | THB1,165.13 |
| 625 - 1225 | THB45.44 | THB1,136.00 |
| 1250 + | THB44.741 | THB1,118.53 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 827-5120
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD30N08S2L21ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 30A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 75V | |
| Series | OptiMOS | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 26mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 136W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 56nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 2.41mm | |
| Width | 6.22 mm | |
| Length | 6.73mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 30A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 75V | ||
Series OptiMOS | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 26mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 136W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 56nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 2.41mm | ||
Width 6.22 mm | ||
Length 6.73mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
สถานะRoHS: ไม่สามารถใช้ได้
Infineon OptiMOS™ Power MOSFET Family
MOSFET Transistors, Infineon
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET & Diode 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP80N08S2L07AKSA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP100N08S2L07AKSA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET & Diode 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB100N08S2L07ATMA1