Texas Instruments NexFET Type N-Channel MOSFET, 273 A, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-220 CSD19506KCS

RS Stock No.:: 827-4903
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: CSD19506KCS
ผู้ผลิต:: Texas Instruments

Texas Instruments NexFET Type N-Channel MOSFET, 273 A, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-220 CSD19506KCS

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB175.68

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB187.98

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

13 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
เพิ่มอีก 10 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 12	THB175.68
13 - 24	THB171.27
25 +	THB168.64

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 827-4903
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: CSD19506KCS
ผู้ผลิต:: Texas Instruments

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Texas Instruments
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	273A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	80V
	Package Type	TO-220
	Series	NexFET
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	2.8mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	120nC
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	375W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Length	10.67mm
	Width	4.7 mm
	Height	16.51mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Texas Instruments
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 273A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 80V
	Package Type TO-220
	Series NexFET
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 2.8mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 120nC
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 375W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Length 10.67mm
	Width 4.7 mm
	Height 16.51mm
	Automotive Standard No

ESD Control Selection Guide V1

Texas Instruments NexFET Type N-Channel MOSFET, 273 A, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-220 CSD19506KCS

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง