Texas Instruments NexFET Type N-Channel MOSFET, 272 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 CSD19536KTTT

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB226.32

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB242.16

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 508 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 12THB226.32
13 - 24THB220.67
25 +THB217.27

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
900-9857
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
CSD19536KTTT
ผู้ผลิต:
Texas Instruments
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Texas Instruments

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

272A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

NexFET

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

375W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

0.9V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

118nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

9.65 mm

Height

4.83mm

Length

10.67mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments


MOSFET Transistors, Texas Instruments


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง