DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET, 1.3 A, 30 V Enhancement, 6-Pin SC-88 DMN3190LDW-7
- RS Stock No.:
- 827-0480
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMN3190LDW-7
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 50 ชิ้น)*
THB174.75
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB187.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 5,350 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 50 - 700 | THB3.495 | THB174.75 |
| 750 - 1450 | THB3.407 | THB170.35 |
| 1500 + | THB3.355 | THB167.75 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 827-0480
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMN3190LDW-7
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 1.3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | SC-88 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 335mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 0.9nC | |
| Minimum Operating Temperature | 150°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 400mW | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Transistor Configuration | Isolated | |
| Maximum Operating Temperature | -55°C | |
| Length | 2.2mm | |
| Standards/Approvals | J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, UL 94V-0, AEC-Q101 | |
| Height | 1mm | |
| Width | 1.35 mm | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 1.3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type SC-88 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 335mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.9nC | ||
Minimum Operating Temperature 150°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 400mW | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Transistor Configuration Isolated | ||
Maximum Operating Temperature -55°C | ||
Length 2.2mm | ||
Standards/Approvals J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, UL 94V-0, AEC-Q101 | ||
Height 1mm | ||
Width 1.35 mm | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | ||
Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin SC-88
- DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin SC-88
- DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin SC-88
- DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin SC-88 DMN65D8LDW-7
- DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin SC-88 DMN63D8LDW-7
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type N-Channel Power MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin SC-88
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type N-Channel Power MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin SC-88 SI1922EDH-T1-GE3
- onsemi N+P Load Switch 2 Type P 1.3 A 6-Pin SC-88