Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET, 90 A, 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90N03S4L02ATMA1

RS Stock No.:: 825-9398
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD90N03S4L02ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET, 90 A, 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90N03S4L02ATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB258.35

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB276.45

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

2,230 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 620	THB51.67	THB258.35
625 - 1245	THB50.38	THB251.90
1250 +	THB49.606	THB248.03

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 825-9398
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD90N03S4L02ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	90A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	OptiMOS-T2
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	2.6mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	110nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	16 V
	Maximum Power Dissipation Pd	136W
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	6.5mm
	Standards/Approvals	No
	Width	6.22 mm
	Height	2.3mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 90A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series OptiMOS-T2
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 2.6mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 110nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 16 V
	Maximum Power Dissipation Pd 136W
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 6.5mm
	Standards/Approvals No
	Width 6.22 mm
	Height 2.3mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Infineon OptiMOS™ T2 Power MOSFETs

Infineon’s new OptiMOS ™ -T2 has a range of energy efficient MOSFET transistors with CO2 reduction and electric drives. The new OptiMOS™ -T2 product family extends the existing families of OptiMOS™ -T and OptiMOS™.

OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

N-channel - Enhancement mode

AEC qualified

MSL1 up to 260°C Peak reflow

175°C operating temperature

Green Product (RoHS compliant)

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET, 90 A, 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90N03S4L02ATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

Infineon OptiMOS™ T2 Power MOSFETs

MOSFET Transistors, Infineon

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง