Infineon OptiMOS-T2 N-Channel MOSFET, 90 A, 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90N03S4L02ATMA1
- RS Stock No.:
- 825-9398
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD90N03S4L02ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 625 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB1,153.75
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB369.45
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB395.30
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 2,220 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 5 - 620 | THB73.89 | THB369.45 | - |
| 625 - 1245 | THB72.044 | THB360.22 | THB1,153.75 |
| 1250 + | THB70.936 | THB354.68 | THB3,692.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 825-9398
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD90N03S4L02ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 90A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | OptiMOS-T2 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.6mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 136W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 110nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -16V, +16V | |
| Forward Voltage Vf | 900mV | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 6.5mm | |
| Height | 2.3mm | |
| Width | 6.22mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 90A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series OptiMOS-T2 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.6mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 136W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 110nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -16V, +16V | ||
Forward Voltage Vf 900mV | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 6.5mm | ||
Height 2.3mm | ||
Width 6.22mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS™ T2 Power MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS-T2 N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90N03S4L02ATMA1
- Infineon OptiMOS-T2 N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90N06S4L03ATMA2
- Infineon OptiMOS-T2 N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90N10S4L06ATMA1
- Infineon OptiMOS-T2 N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90N04S403ATMA1
- Infineon OptiMOS-T2 N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD25N06S4L30ATMA2
- Infineon OptiMOS-T2 N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90N04S405ATMA1
- Infineon OptiMOS-T2 N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50N04S408ATMA1
- Infineon OptiMOS-T2 N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD100N04S402ATMA1
