Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET, 25 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD25N06S4L30ATMA2
- RS Stock No.:
- 215-2504
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD25N06S4L30ATMA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*
THB268.66
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB287.46
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 7,260 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 20 - 620 | THB13.433 | THB268.66 |
| 640 - 1240 | THB13.098 | THB261.96 |
| 1260 + | THB12.896 | THB257.92 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 215-2504
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD25N06S4L30ATMA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 25A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | OptiMOS-T2 | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 300mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 29W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 16.3nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 25A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series OptiMOS-T2 | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 300mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 29W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 16.3nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon OptiMOS®-T2 Power-Transistor has 60V maximum drain source voltage, N-Ch, Automotive MOSFET, with DPAK(TO-252) package type.
N-channel - Enhancement mode
AEC Q101 qualified
MSL1 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature
Green Product (RoHS compliant)
100% Avalanche tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD100N06S403ATMA2
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50N06S4L12ATMA2
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90N06S4L03ATMA2
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252