DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET, 260 mA, 30 V Enhancement, 6-Pin SC-88 DMN63D8LDW-7
- RS Stock No.:
- 822-2598
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMN63D8LDW-7
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 100 ชิ้น)*
THB279.30
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB298.90
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 13 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 100 - 700 | THB2.793 | THB279.30 |
| 800 - 1400 | THB2.723 | THB272.30 |
| 1500 + | THB2.681 | THB268.10 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 822-2598
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMN63D8LDW-7
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 260mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | SC-88 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 13Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | 150°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 0.4nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 400mW | |
| Forward Voltage Vf | 0.8V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | -55°C | |
| Transistor Configuration | Isolated | |
| Length | 2.2mm | |
| Standards/Approvals | UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101 | |
| Width | 1.35 mm | |
| Height | 1mm | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 260mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type SC-88 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 13Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature 150°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.4nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 400mW | ||
Forward Voltage Vf 0.8V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature -55°C | ||
Transistor Configuration Isolated | ||
Length 2.2mm | ||
Standards/Approvals UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101 | ||
Width 1.35 mm | ||
Height 1mm | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin SC-88
- DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin SOT-563
- DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin SOT-563 DMN63D8LV-7
- DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin SC-88
- DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin SC-88
- DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin SC-88 DMN65D8LDW-7
- DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin SC-88 DMN3190LDW-7
- onsemi Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin SC-88
