Vishay N-Channel MOSFET, 50 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SUD50N04-8M8P-4GE3
- RS Stock No.:
- 818-7470P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SUD50N04-8M8P-4GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 640 ชิ้น (จัดส่งเป็นม้วน)*
THB25,818.88
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB27,626.24
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 2,280 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 640 - 1240 | THB40.342 |
| 1260 + | THB39.721 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 818-7470P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SUD50N04-8M8P-4GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 50A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0088Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 37nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 48.1W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Forward Voltage Vf | 810mV | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | |
| Height | 2.38mm | |
| Length | 6.73mm | |
| Width | 6.22mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 50A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0088Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 37nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 48.1W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Forward Voltage Vf 810mV | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | ||
Height 2.38mm | ||
Length 6.73mm | ||
Width 6.22mm | ||
Automotive Standard No | ||