P-Channel MOSFET, 7.2 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4431CDY-T1-GE3

RS Stock No.:: 812-3215P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI4431CDY-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

P-Channel MOSFET, 7.2 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4431CDY-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each (Supplied on a Reel)**. จำนวนต่ำกว่า 150 ชิ้นบนแถบต่อเนื่อง

THB22.483

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB24.057

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

760 มีของพร้อมจัดส่งภายใน (In stock for delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

ชิ้น	ต่อหน่วย
640 - 1240	THB21.921
1260 +	THB21.583

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 812-3215P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI4431CDY-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current	7.2 A
Maximum Drain Source Voltage	30 V
Package Type	SOIC
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	8
Maximum Drain Source Resistance	49 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Maximum Power Dissipation	4.2 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip	1
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Length	5mm
Typical Gate Charge @ Vgs	25 nC @ 10 V
Width	4mm
Transistor Material	Si
Height	1.55mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C

P-Channel MOSFET, 7.2 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4431CDY-T1-GE3

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor