onsemi QFET Type P-Channel MOSFET, 1.33 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-252 FQD3P50TM

RS Stock No.:: 808-9010
Distrelec หมายเลขบทความ:: 304-45-656
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FQD3P50TM
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi QFET Type P-Channel MOSFET, 1.33 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-252 FQD3P50TM

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 630 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 2%

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB348.80

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB373.20

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

10 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
เพิ่มอีก 3,710 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 พฤศจิกายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*	การประหยัด
10 - 620	THB34.88	THB348.80	-
630 - 1240	THB34.008	THB340.08	2%
1250 +	THB33.485	THB334.85	3%

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 808-9010
Distrelec หมายเลขบทความ:: 304-45-656
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FQD3P50TM
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	1.33A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	500V
	Package Type	TO-252
	Series	QFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	4.9Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-30V, +30V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	18nC
	Forward Voltage Vf	-5V
	Maximum Power Dissipation Pd	50W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	2.39mm
	Standards/Approvals	No
	Length	6.73mm
	Width	6.22mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 1.33A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 500V
	Package Type TO-252
	Series QFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 4.9Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -30V, +30V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 18nC
	Forward Voltage Vf -5V
	Maximum Power Dissipation Pd 50W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 2.39mm
	Standards/Approvals No
	Length 6.73mm
	Width 6.22mm
	Automotive Standard No

QFET® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor’s new QFET® Planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.

They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using Advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing Planar MOSFET devices.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

onsemi QFET Type P-Channel MOSFET, 1.33 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-252 FQD3P50TM

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ตัวเลือกราคาสำหรับซื้อจำนวนมาก

QFET® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง