onsemi QFET Type P-Channel MOSFET, 12 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252

RS Stock No.:: 124-1721
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FQD17P06TM
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi QFET Type P-Channel MOSFET, 12 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*

THB40,005.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB42,805.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีสต็อกจำกัด

เพิ่มอีก 7,500 ชิ้นที่เหลือจะส่งจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
2500 - 2500	THB16.002	THB40,005.00
5000 - 7500	THB15.522	THB38,805.00
10000 +	THB15.056	THB37,640.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 124-1721
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FQD17P06TM
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	12A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	QFET
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	135mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	-4V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	21nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	25 V
	Maximum Power Dissipation Pd	2.5W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	6.22 mm
	Standards/Approvals	No
	Height	2.39mm
	Length	6.73mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 12A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series QFET
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 135mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf -4V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 21nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V
	Maximum Power Dissipation Pd 2.5W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 6.22 mm
	Standards/Approvals No
	Height 2.39mm
	Length 6.73mm
	Automotive Standard No

Enhancement Mode P-Channel MOSFET, ON Semiconductor

ON Semiconductors range of P-Channel MOSFETS are produced using ON Semi’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance to provide a rugged and reliable performance for fast switching.

Features and Benefits:

• Voltage controlled P-Channel small signal switch

• High-Density cell design

• High saturation current

• Superior switching

• Great rugged and reliable performance

• DMOS technology

Applications:

• Load Switching

• DC/DC converter

• Battery protection

• Power management control

• DC motor control

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.