N-Channel MOSFET, 26 A, 500 V, 3-Pin TO-247 IXYS IXFH26N50P3
- RS Stock No.:
- 802-4360
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXFH26N50P3
- ผู้ผลิต / Manufacturer:
- IXYS
1 มีของพร้อมจัดส่งภายใน (In stock for delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)
ราคา / Price Each
THB267.81
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB286.56
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
Units | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 7 | THB267.81 |
| 8 - 14 | THB261.12 |
| 15 + | THB257.11 |
- RS Stock No.:
- 802-4360
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXFH26N50P3
- ผู้ผลิต / Manufacturer:
- IXYS
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series
A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)
For products that are Customized and under Non-cancellable & Non-returnable, Sales & Conditions apply.
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
คุณสมบัติ / Specifications
คุณสมบัติ | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 26 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
| Package Type | TO-247 |
| Series | HiperFET, Polar3 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Pin Count | 3 |
| Maximum Drain Source Resistance | 240 mΩ |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Power Dissipation | 500 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Width | 5.3mm |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Length | 16.26mm |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Height | 21.46mm |