IXYS Type N-Channel MOSFET, 60 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- RS Stock No.:
- 168-4730
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXFH60N50P3
- ผู้ผลิต:
- IXYS
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*
THB8,842.92
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB9,461.91
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 30 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 20 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | THB294.764 | THB8,842.92 |
| 60 - 90 | THB288.357 | THB8,650.71 |
| 120 + | THB281.948 | THB8,458.44 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 168-4730
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXFH60N50P3
- ผู้ผลิต:
- IXYS
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 60A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 500V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 100mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.04kW | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.4V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 96nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 16.26mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 21.46mm | |
| Width | 5.3 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 60A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 500V | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 100mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.04kW | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Forward Voltage Vf 1.4V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 96nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 16.26mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 21.46mm | ||
Width 5.3 mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- US
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series
A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- IXYS Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IXFH60N50P3
- IXYS Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- IXYS Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- IXYS Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- IXYS Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- IXYS Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- IXYS Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IXFH44N50P
- IXYS Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IXFH36N50P