Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET, 100 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-3PL TK100L60W,VQ(O
- RS Stock No.:
- 799-4987
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TK100L60W,VQ(O
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB823.45
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB881.09
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 14 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 19 | THB823.45 |
| 20 - 49 | THB798.73 |
| 50 - 99 | THB774.01 |
| 100 - 249 | THB757.55 |
| 250 + | THB741.08 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 799-4987
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TK100L60W,VQ(O
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 100A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | DTMOSIV | |
| Package Type | TO-3PL | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 18mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 797W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 360nC | |
| Forward Voltage Vf | -1.7V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 5 mm | |
| Length | 20mm | |
| Height | 26mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 100A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series DTMOSIV | ||
Package Type TO-3PL | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 18mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 797W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 360nC | ||
Forward Voltage Vf -1.7V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 5 mm | ||
Length 20mm | ||
Height 26mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
MOSFET Transistors, Toshiba
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 600 V EnhancementS1VQ(O
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 600 V EnhancementS1VQ(O
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 600 V EnhancementS1VQ(O
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 600 V EnhancementS1VQ(O
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 600 V EnhancementS1VQ(O
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 600 V EnhancementS4VX(M
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 600 V EnhancementS4VX(M