Toshiba TK N-Channel MOSFET, 263 A, 60 V, 3-Pin TO-220 TK100E06N1
- RS Stock No.:
- 796-5068
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TK100E06N1
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB49.78
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB53.26
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 16 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB49.78 |
| 10 - 49 | THB48.09 |
| 50 - 99 | THB45.90 |
| 100 - 249 | THB43.96 |
| 250 + | THB43.13 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 796-5068
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TK100E06N1
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current | 263 A | |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V | |
| Series | TK | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance | 2.3 mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V | |
| Maximum Power Dissipation | 255 W | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
| Length | 10.16mm | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 140 nC @ 10 V | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Transistor Material | Si | |
| Width | 4.45mm | |
| Height | 15.1mm | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current 263 A | ||
Maximum Drain Source Voltage 60 V | ||
Series TK | ||
Package Type TO-220 | ||
Mounting Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance 2.3 mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Threshold Voltage 4V | ||
Maximum Power Dissipation 255 W | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V | ||
Length 10.16mm | ||
Typical Gate Charge @ Vgs 140 nC @ 10 V | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
Maximum Operating Temperature +150 °C | ||
Transistor Material Si | ||
Width 4.45mm | ||
Height 15.1mm | ||
MOSFET Transistors, Toshiba
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Toshiba TK N-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin TO-220 TK40E06N1
- Toshiba U-MOSVIII-H Type N-Channel MOSFET 60 V EnhancementS1X(S
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 120 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 120 V EnhancementS4X(S
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 120 V EnhancementS1X(S
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 900 V Enhancement, 3-Pin TO-3PN
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 900 V Enhancement, 3-Pin TO-3PN TK9J90E
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220
