Toshiba U-MOSVIII-H N-Channel MOSFET, 263 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 TK100E06N1,S1X(S
- RS Stock No.:
- 125-0528
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TK100E06N1,S1X(S
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB489.26
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB523.51
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 65 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 18 กันยายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | THB97.852 | THB489.26 |
| 25 - 45 | THB94.914 | THB474.57 |
| 50 - 120 | THB92.064 | THB460.32 |
| 125 - 245 | THB89.304 | THB446.52 |
| 250 + | THB86.622 | THB433.11 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 125-0528
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TK100E06N1,S1X(S
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 263A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | U-MOSVIII-H | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.3mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 140nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 255W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 4.45mm | |
| Height | 15.1mm | |
| Length | 10.16mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 263A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series U-MOSVIII-H | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.3mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 140nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 255W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 4.45mm | ||
Height 15.1mm | ||
Length 10.16mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
MOSFET Transistors, Toshiba
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Toshiba U-MOSVIII-H Type N-Channel MOSFET 80 V EnhancementS1X(S
- Toshiba U-MOSVIII-H Type N-Channel MOSFET 100 V EnhancementS1X(S
- Toshiba U-MOSVIII-H Type N-Channel MOSFET 40 V EnhancementLQ(O
- Toshiba U-MOSVIII-H Type N-Channel MOSFET 80 V EnhancementS4X(S
- Toshiba U-MOSVIII-H Type N-Channel MOSFET 30 V EnhancementLQ(S
- Toshiba U-MOSVIII-H Type N-Channel MOSFET 80 V EnhancementLQ(S
- Toshiba U-MOSVIII-H Type N-Channel MOSFET 60 V EnhancementLQ(S
- Toshiba TK N-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin TO-220 TK100E06N1