Vishay Si4190ADY N-Channel MOSFET, 18 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4190ADY-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 787-9235P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI4190ADY-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 625 ชิ้น (จัดส่งเป็นม้วน)*
THB46,803.75
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB50,080.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 2,415 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 มีนาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 625 - 1245 | THB74.886 |
| 1250 + | THB73.73 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 787-9235P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI4190ADY-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 18A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | Si4190ADY | |
| Package Type | SOIC | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.2Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 6W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 44.4nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 5mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 4mm | |
| Height | 1.5mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 18A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series Si4190ADY | ||
Package Type SOIC | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.2Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 6W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 44.4nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 5mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 4mm | ||
Height 1.5mm | ||
Automotive Standard No | ||
