onsemi NTZS3151P Type P-Channel MOSFET, 950 mA, 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-563 NTZS3151PT1G
- RS Stock No.:
- 780-4806
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTZS3151PT1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*
THB229.45
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB245.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 11 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 25 - 975 | THB9.178 | THB229.45 |
| 1000 - 1975 | THB8.948 | THB223.70 |
| 2000 + | THB8.81 | THB220.25 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 780-4806
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTZS3151PT1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 950mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Package Type | SOT-563 | |
| Series | NTZS3151P | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 240mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 8 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 210mW | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 5.6nC | |
| Forward Voltage Vf | -0.9V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 1.7mm | |
| Width | 1.3 mm | |
| Height | 0.6mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 950mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Package Type SOT-563 | ||
Series NTZS3151P | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 240mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 210mW | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 5.6nC | ||
Forward Voltage Vf -0.9V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 1.7mm | ||
Width 1.3 mm | ||
Height 0.6mm | ||
Automotive Standard No | ||
P-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NTZS3151P Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-563
- DiodesZetex Isolated 2 Type N 700 mA 6-Pin SOT-563
- DiodesZetex Isolated 2 Type N 700 mA 6-Pin SOT-563 DMC2400UV-7
- onsemi Isolated 2 Type P-Channel Small Signal 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-563
- onsemi Isolated 2 Type P-Channel Small Signal 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-563 NTZD3152PT1G
- DiodesZetex Dual DMC2710 2 Type P 800 mA 6-Pin SOT-563
- DiodesZetex Dual DMC2710 2 Type P 800 mA 6-Pin SOT-563 DMC2710UV-7
- Infineon Isolated OptiMOS 2 2 Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin SC-88 BSD235NH6327XTSA1
