DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Small Signal, 1.33 A, 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-563 DMN2400UV-7
- RS Stock No.:
- 751-4155
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMN2400UV-7
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 50 ชิ้น)*
THB393.10
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB420.60
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 49,400 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 50 - 700 | THB7.862 | THB393.10 |
| 750 - 1450 | THB7.666 | THB383.30 |
| 1500 + | THB7.548 | THB377.40 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 751-4155
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMN2400UV-7
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Product Type | Small Signal | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 1.33A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Package Type | SOT-563 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.5Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | 150°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 0.5nC | |
| Forward Voltage Vf | 0.7V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 530mW | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 12 V | |
| Transistor Configuration | Isolated | |
| Maximum Operating Temperature | -55°C | |
| Standards/Approvals | RoHS, AEC-Q101, UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202 | |
| Height | 0.6mm | |
| Length | 1.7mm | |
| Width | 1.25 mm | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Product Type Small Signal | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 1.33A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Package Type SOT-563 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.5Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature 150°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.5nC | ||
Forward Voltage Vf 0.7V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 530mW | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 12 V | ||
Transistor Configuration Isolated | ||
Maximum Operating Temperature -55°C | ||
Standards/Approvals RoHS, AEC-Q101, UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202 | ||
Height 0.6mm | ||
Length 1.7mm | ||
Width 1.25 mm | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Small Signal 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-563
- onsemi Isolated 2 Type P-Channel Small Signal 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-563
- onsemi Isolated 2 Type P-Channel Small Signal 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-563 NTZD3152PT1G
- ROHM Isolated EM6K6 2 Type N-Channel Small Signal 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-563 EM6K6T2R
- DiodesZetex Isolated 2 Type P-Channel Small Signal 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-26
- DiodesZetex Isolated 2 Type P-Channel Small Signal 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-26 DMP2240UDM-7
- DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Small Signal 50 V Enhancement, 6-Pin SC-88
- DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Small Signal 50 V Enhancement, 6-Pin SC-88 BSS138DW-7-F
