onsemi Isolated 2 N-Channel Power MOSFET, 4 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC NTMD4N03R2G
- RS Stock No.:
- 780-0674
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTMD4N03R2G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB253.90
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB271.70
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 2,440 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 620 | THB25.39 | THB253.90 |
| 630 - 1240 | THB24.756 | THB247.56 |
| 1250 + | THB24.376 | THB243.76 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 780-0674
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTMD4N03R2G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | SOIC | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 80mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 820mV | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 8nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Transistor Configuration | Isolated | |
| Maximum Operating Temperature | +150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 4mm | |
| Length | 5mm | |
| Height | 1.5mm | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type SOIC | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 80mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 820mV | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Transistor Configuration Isolated | ||
Maximum Operating Temperature +150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 4mm | ||
Length 5mm | ||
Height 1.5mm | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Dual N-Channel MOSFET, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi Isolated 2 N-Channel Power MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC NTMD4N03R2G
- onsemi Isolated 2 N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- onsemi Isolated 2 N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC NDS9945
- onsemi Isolated 2 Type N 3.9 A 8-Pin SOIC SI4532DY
- onsemi Isolated 2 N-Channel Power MOSFET 25 V Enhancement, 6-Pin SOT-23
- onsemi Isolated 2 N-Channel Power MOSFET 25 V Enhancement, 6-Pin SOT-23 FDC6303N
- onsemi Isolated 2 N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin SC-70 2N7002DW
- onsemi Isolated 2 N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin SC-88 NTJD5121NT1G
