onsemi Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET, 4 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC NTMD4N03R2G

RS Stock No.:: 780-0674
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: NTMD4N03R2G
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET, 4 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC NTMD4N03R2G

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB213.79

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB228.76

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีสต็อกจำกัด

2,500 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 620	THB21.379	THB213.79
630 - 1240	THB20.845	THB208.45
1250 +	THB20.525	THB205.25

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 780-0674
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: NTMD4N03R2G
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Channel Type	Type N
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	SOIC
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	80mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	2W
	Minimum Operating Temperature	150°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	8nC
	Forward Voltage Vf	0.82V
	Transistor Configuration	Isolated
	Maximum Operating Temperature	-55°C
	Standards/Approvals	No
	Length	5mm
	Height	1.5mm
	Width	4 mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Channel Type Type N
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type SOIC
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 80mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 2W
	Minimum Operating Temperature 150°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8nC
	Forward Voltage Vf 0.82V
	Transistor Configuration Isolated
	Maximum Operating Temperature -55°C
	Standards/Approvals No
	Length 5mm
	Height 1.5mm
	Width 4 mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard AEC-Q101

onsemi Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET, 4 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC NTMD4N03R2G

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

Dual N-Channel MOSFET, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง