onsemi N+P Load Switch 2 Type P, Type N-Channel Power MOSFET, 1.3 A, 8 V Enhancement, 6-Pin SC-88 NTJD1155LT1G
- RS Stock No.:
- 780-0605
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTJD1155LT1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 20 ชิ้น)*
THB157.52
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB168.54
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 1,480 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 20 - 740 | THB7.876 | THB157.52 |
| 760 - 1480 | THB7.679 | THB153.58 |
| 1500 + | THB7.561 | THB151.22 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 780-0605
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTJD1155LT1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Channel Type | Type P, Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 1.3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 8V | |
| Package Type | SC-88 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 320mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | 150°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 8 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 400mW | |
| Forward Voltage Vf | -0.8V | |
| Maximum Operating Temperature | -55°C | |
| Transistor Configuration | N+P Load Switch | |
| Height | 1mm | |
| Length | 2.2mm | |
| Width | 1.35 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Channel Type Type P, Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 1.3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 8V | ||
Package Type SC-88 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 320mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature 150°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 400mW | ||
Forward Voltage Vf -0.8V | ||
Maximum Operating Temperature -55°C | ||
Transistor Configuration N+P Load Switch | ||
Height 1mm | ||
Length 2.2mm | ||
Width 1.35 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard No | ||
Features and Benefits:
• ESD Protection
• Ultra-low Rds P-Channel load switch
• V range of 1.8 – 8.0V
• ON/OFF Range – 1.5 to 8.0V
• SOT 363 package
• Drive loads up to 1.3A with 8V.
Applications:
• High side load switch with level shift
• Mobile phones
• Digital cameras
• PDAs
• Media Players
Dual N/P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
The NTJD1155L is a dual channel MOSFET. Featuring both P and N-channels into a single package, this MOSFET is brilliant for low control signal, low battery voltages and high load currents. The N-channel features internal ESD protection and can be driven by logic signals as low as 1.5V, while the P-Channel is designed to be used on load switching applications. The P-channel also designed with ON semis trench technology.
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi N+P Load Switch 2 Type P 1.3 A 6-Pin SC-88
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type N-Channel Power MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin SC-88
- DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin SC-88
- DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin SC-88 DMN3190LDW-7
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type N-Channel Power MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin SC-88 SI1922EDH-T1-GE3
- DiodesZetex Isolated 2 Type P 840 mA 6-Pin SC-88
- DiodesZetex Isolated 2 Type P 540 mA 6-Pin SC-88
- DiodesZetex Isolated 2 Type P 540 mA 6-Pin SC-88 DMC2004DWK-7
