onsemi Isolated PowerTrench 2 Type N-Channel MOSFET, 6 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC FDS6912A

RS Stock No.:: 772-9225
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FDS6912A
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi Isolated PowerTrench 2 Type N-Channel MOSFET, 6 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC FDS6912A

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*

THB564.25

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB603.75

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ขาดตลาด

25 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
เพิ่มอีก 7,875 ชิ้นที่เหลือจะส่งจากวันที่ 02 มกราคม 2569

สต็อกปัจจุบันของเรามีจำนวนจำกัด และซัพพลายเออร์ของเราคาดว่าสินค้าจะขาดแคลน

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
25 - 600	THB22.57	THB564.25
625 - 1225	THB22.005	THB550.13
1250 +	THB21.667	THB541.68

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 772-9225
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FDS6912A
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	SOIC
	Series	PowerTrench
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	44mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	5.8nC
	Forward Voltage Vf	0.75V
	Maximum Power Dissipation Pd	1.6W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Transistor Configuration	Isolated
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1.5mm
	Width	4 mm
	Standards/Approvals	No
	Length	5mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type SOIC
	Series PowerTrench
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 44mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 5.8nC
	Forward Voltage Vf 0.75V
	Maximum Power Dissipation Pd 1.6W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Transistor Configuration Isolated
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1.5mm
	Width 4 mm
	Standards/Approvals No
	Length 5mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

ON Semis PowerTrench® MOSFETS are optimised power switched that offer increased system efficiency and power density. They combine small gate charge, small reverse recovery and a soft reverse recovery body diode to contribute to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.

The soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

onsemi Isolated PowerTrench 2 Type N-Channel MOSFET, 6 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC FDS6912A

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง