Renesas Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 1.4 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 UPA679TB-T1-A
- RS Stock No.:
- 772-6642P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- UPA679TB-T1-A
- ผู้ผลิต:
- Renesas Electronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย 80 ชิ้น (จัดส่งในแบบแถบต่อเนื่อง)*
THB414.48
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB443.52
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 80 - 160 | THB5.181 |
| 200 - 360 | THB5.072 |
| 400 - 760 | THB4.964 |
| 800 + | THB4.867 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 772-6642P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- UPA679TB-T1-A
- ผู้ผลิต:
- Renesas Electronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Renesas Electronics | |
| Channel Type | N, P | |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.4 A | |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V | |
| Package Type | SOT-363 (SC-88) | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance | 880 mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.5V | |
| Maximum Power Dissipation | 200 mW | |
| Transistor Configuration | Isolated | |
| Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V | |
| Width | 1.25mm | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Length | 2mm | |
| Transistor Material | Si | |
| Height | 0.9mm | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Renesas Electronics | ||
Channel Type N, P | ||
Maximum Continuous Drain Current 1.4 A | ||
Maximum Drain Source Voltage 20 V | ||
Package Type SOT-363 (SC-88) | ||
Mounting Type Surface Mount | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance 880 mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Threshold Voltage 1.5V | ||
Maximum Power Dissipation 200 mW | ||
Transistor Configuration Isolated | ||
Maximum Gate Source Voltage -12 V, +12 V | ||
Width 1.25mm | ||
Maximum Operating Temperature +150 °C | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Length 2mm | ||
Transistor Material Si | ||
Height 0.9mm | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
N/P-Channel Dual MOSFET, Renesas Electronics
MOSFET Transistors, Renesas Electronics (NEC)
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Renesas Dual N-Channel MOSFET 20 V, 6-Pin SOT-363 UPA677TB-T1-A
- onsemi Dual N/P-Channel MOSFET 700 mA 6-Pin SOT-363 FDG6332C
- Infineon Dual N BSD840N 2 Type P-Channel OptiMOSTM2 Small-Signal-Transistors 20 V Dual N, 6-Pin SOT-363
- Infineon HEXFET Dual N/P-Channel-Channel MOSFET 6.6 A 8-Pin SOIC IRF7317TRPBF
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 SI1411DH-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 6-Pin SOT-363
- onsemi PowerTrench Dual N-Channel MOSFET 30 V, 6-Pin SOT-363 FDG8850NZ
- DiodesZetex Dual DMP31 1 Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 DMP31D7LDW-7
